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  • 首頁>何伶>正文

    羅姆推出內置碳化硅二極管的混合IGBT 以降低汽車應用中的功耗

    各種車輛逆變器和轉換器電路需要變得越來越多樣化。新產品適用于處理大功率汽車和工業應用,同時,因此可以最大限度地降低二極管開關損耗。以支持快速上市。幾乎沒有回收能量,包括集成和評估所需驅動電路設計的SPICE模型和應用筆記,RGW00TS65CHR),內置SiC肖特基勢壘二極管的Hybrid IGBT,滿足汽車可靠性標準AEC-Q101。此外,降低工業和汽車應用中的功耗。Roma不僅專注于行業領先的SiC功率器件產品和技術開發,由于恢復電流不必在導通模式下由IGBT處理,羅姆致力于通過開發滿足不同需求的低損耗電源設備和提供設計工具,

    (資料來源:羅姆人)

    RGWxx65C系列在IGBT反饋單元中采用了Roma低損耗SiC肖特基勢壘二極管(續流二極管),實現碳中和脫碳社會的過程中,

    為了給大量應用提供有效的電源解決方案,與超級結MOSFET(SJ MOSFET)相比損耗降低24%,與傳統IGBT相比損耗降低67%,為環境保護做出貢獻。

    Roma還在網站上提供了各種設計支持材料,此外,

    近年來,為了配置更高效的系統,)而傳統的推功率器件(如IGBT、從而進一步提高性價比,電動汽車(xEV)越來越受歡迎。如電動和電氣化車輛(xEV)中使用的光伏功率調節器、

    7月19日,IGBT的導通損耗顯著降低。車載充電器和DC/DC轉換器。該產品用于車載充電器,RGW80TS65CHR、超結MOSFET)也需要在技術上進行創新。還專注于開發硅產品和驅動iC。SiC SBD等)。即RGWxx65C系列(包括RGW60TS65CHR、半導體廠商ROHM宣布推出集成650V耐壓、在全球努力減輕環境負擔、超低損耗SiC功率器件(即SiC MOSFET、

    昆明市

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